一.MOSFET
$NMOS$在$P+$上，$PMOS$在$N+$上
(1)组成：$active-area+poly-silicon$
★(2)保证良好的$Connection$：
(3)大$W/L$管
→直接做的缺点：
①寄生电容大 ②$R_{gate}$很大，会引起信号畸变
③不能在沟道上画$CT$
→采用$finger$:
减少寄生电容、电阻（大幅下降）
(4)TGO光刻层：
1.8V器件栅氧薄、3.3V栅氧厚，TGO层能区分此二者
二.电容
(1)poly-poly(要工艺支持双层poly)
一般只有$>350nm$才可以用.
(2)Metal-Metal
①mim
· 蓝色的是一个$Via$，连接到在$M3$与$M4$之间的$MCT$层上以减小$d$，增大电容
②mom
· 叉指结构
影响电容精度的因素：
三.电阻
①离子注入型电阻
· 钳位：在$Nwell$表面进行$P^{+}$注入以减小电阻噪声
②$Poly$电阻
注入$N^{+}$与$P^{+}$可以减小其电阻
注意：有些电阻的衬底需要接地
