引言
1.Tapeout(流片) Flow
2.OPC:光学衍射校准
3.Transistor参数
一.工艺过程
层次：$Nwell$、有源($ACT$)、$Poly(Gate)$、$CT(Contact)/Via$、$Metal$
工艺过程：
①Nwell光刻
· 为了产生$pmos$，需要制作$N+$衬底，光刻处一个N阱
②有源区光刻
· 为了让Gate、源漏的位置空出来，其他地方填充场氧
③$Poly$多晶硅光刻
· 刻出Gate
④$N+、P+$光刻粒子注入
⑤$Via$层、$CT$层、$Metal$层互联……
二.DesignRule
①width/length
②size(正方形边长)，用来约束$Via$的
③spacing:层与层或不同层之间的间距
④enclosure:包裹
⑤extension:延出
⑥overlap:交叠
DRC: design rule check
LVS: Layout VS schematic
PEX: 寄生参数提取